SI5515CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI5515CDC-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.83 |
10+ | $0.728 |
100+ | $0.5579 |
500+ | $0.441 |
1000+ | $0.3528 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6A, 4.5V |
Leistung - max | 3.1W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | SI5515 |
SI5515CDC-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI5515CDC-T1-E3 PDF - EN.pdf |
VISHAY QFN1206-8
SI5515CDC VISHAY
SI5515DC 98K
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
SI5515DC-T1 VISHAY
SI5513DC VISHAY
SI5513DC-T1 VISHAY
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
2024/03/25
2024/08/25
2024/11/15
2024/07/11
SI5515CDC-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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